国海证券发布光模块设备系列报告第50期：图解InP磷化铟衬底产业链与全球扩产动态

{"visible_text": "国海机械 | 图解光模块设备50——InP磷化铟。张钰莹19121096486/韩松茂15943045591。InP是典型的直接带隙III-V族化合物半导体，室温下约1.35eV直接带隙，对应约920nm带边波长，适用激光器、发光器件和光电探测器。InP核心优势：承载1.3/1.55μm外延材料体系，作为材料平台和衬底，InGaAs/InGaAsP晶格匹配外延，发光和吸收波长覆盖约0.92–1.65μm。1.3μm光纤色散较低，1.55μm光纤衰减最低约0.2dB/km。InP体系可实现DFB/FP/EML激光器、SOA、光调制器、光探测器及PIC集成，已实现1521–1565nm C波段调谐。衬底主流厂商：Sumitomo Electric（住友电工，全球主要供应商，6英寸InP产能，2028年产能计划较2024年大幅提升）、JX Advanced Metals（2026年6月宣布4年投资1,200亿日元扩产7-10倍）、AXT/北京通美（计划2026年大幅扩产）、Freiberger Compound Materials（VGF工艺）、云南锗业/云南鑫耀半导体（2026年4月投资1.89亿元，规划年产能45万片，2025年出货量同比+74%）、广东先导微电子/先导科技集团（VGF技术，布局上游InP晶体）、珠海鼎泰芯源/博杰股份（VGF法，引入2-2.2亿元扩产）、Vital Micro-Electronics/广东先驱微电子（已实现6英寸量产）。", "image_type": "研究报告/投研图表", "companies": ["国海证券", "Sumitomo Electric（住友电工）", "JX Advanced Metals（JX金属）", "AXT/Beijing Tongmei（北京通美）", "Freiberger Compound Materials", "云南锗业/云南鑫耀半导体", "广东先导微电子/先导科技集团", "珠海鼎泰芯源（博杰股份）", "Vital Micro-Electronics/广东先驱微电子"], "industries": ["半导体", "光通信", "光模块设备", "III-V族化合物半导体", "数据中心/AI算力", "光电探测器", "激光器"], "key_numbers": {"InP直接带隙": "1.35 eV", "InP带边波长": "约920 nm", "光纤衰减典型值": "约0.2 dB/km（1.55μm）", "发光吸收波长覆盖": "约0.92–1.65 μm", "PIC调谐范围": "1521–1565 nm（C波段）", "住友电工扩产": "2028年产能较2024年大幅提升", "JX金属投资": "1,200亿日元（2026年6月起4年）", "JX金属扩产": "整体产能提升7-10倍", "AXT通美增发": "约6,325亿美元（疑为亿美元，原文如此）", "云南锗业投资": "1.89亿元（2026年4月）", "云南锗业规划年产能": "45万片", "云南锗业2025年出货增长": "+74%", "博杰股份扩产融资": "约2-2.2亿元"}, "table_data": [["材料体系", "作用"], ["InP", "衬底及核心材料平台"], ["InGaAs", "可用于长波长光电探测等器件"], ["InGaAsP", "可调节带隙，覆盖通信波段"], ["AlGaInAs", "可用于1.3/1.55μm激光器等器件"], ["通信波段", "主要优势", "InP体系作用"], ["1.3μm", "光纤色散较低", "激光器、探测器等"], ["1.55μm", "光纤衰减最低约0.2dB/km", "激光器、探测器、调制器等"], ["器件", "InP体系的应用"], ["DFB/FP/EML激光器", "光源"], ["SOA", "光信号放大"], ["光调制器", "电光/电吸收调制"], ["光探测器", "光电转换"], ["PIC", "多种光子器件集成"]], "chart_insights": "本图为国海证券机械设备系列报告第50期图解光模块设备专题，针对InP磷化铟衬底材料进行系统梳理。核心逻辑：InP作为III-V族直接带隙半导体，是1.3/1.55μm光通信波段的核心衬底材料，AI数据中心高速光通信需求驱动衬底产能加速扩张。海外（住友电工、JX金属、AXT通美、Freiberger）与国产厂商（云南锗业、广东先导、博杰股份）同步扩产，国产替代进程加速。", "key_information": ["InP为1.3/1.55μm光通信关键衬底材料", "覆盖波长范围0.92–1.65μm，1.55μm光纤衰减最低约0.2dB/km", "AI数据中心需求驱动InP衬底产能加速扩张", "海外巨头：住友电工已具6英寸产能，2028年大幅扩产；JX金属投资1,200亿日元扩产7-10倍；AXT北京通美计划2026年大幅扩产", "国产厂商：云南锗业/鑫耀半导体4英寸已稳定出货，推进6英寸，规划年产能45万片；广东先导采用VGF技术布局上游；博杰股份（珠海鼎泰芯源）为国内少数国产化量产厂商；先驱微电子已实现6英寸量产", "InP体系支持DFB/FP/EML激光器、SOA、光调制器、光探测器及PIC光子集成"], "source_date_clues": ["报告涉及扩产规划时间点：2024年（住友电工基期）、2025年（云南锗业出货数据）、2026年（多家厂商扩产/投资时间节点）、2028年（住友电工远期产能目标）", "数据来源：Trendforce、ieee、Halbleiter、wiley、pubmed、界面新闻、青城政府网、各公司官网、国海证券研究所", "作者联系方式：张钰莹19121096486、韩松茂15943045591", "归属国海证券机械设备系列第50期"], "research_relevance": "高度相关。本图为国海证券机械设备行业（光模块设备方向）专题报告，聚焦InP磷化铟衬底产业链，适合AI算力/光通信/光模块板块研究。覆盖海外及国内主流InP衬底厂商扩产动态，可用于跟踪光通信上游材料环节供需变化、国产替代进展及AI数据中心对光器件需求传导。重点关注云南锗业、博杰股份、广东先导等国产标的及住友电工、JX金属等海外龙头的产能规划对行业供需格局的影响。"}

JX金属2026年6月宣布4年1,200亿日元扩产计划，产能提升7-10倍；住友电工2028年产能较2024年大幅提升（具6英寸基础）