KeyBanc渠道调查：Alphabet拟将内存长期协议（LTA）延长至2035年，三星产能已锁至2031，1Q27 HBM价格或涨80–100%

白毛股神：根据KeyBanc渠道调查，谷 白毛股神：根据KeyBanc渠道调查，谷歌母公司Alphabet正在讨论将其内存长期协议延长至2035年的交易。三星已将2031年前70%的产能分配完毕，此举表明美光、SK海力士及其他厂商将迎来更持久的周期。他们还预计，2027年第一季度高带宽内存价格将上涨80%至100%。若通过长期协议将所有产能潜在分配至2035年，将大大缓解对内存持久性的担忧。 Serenity：$GOOGL is now discussing deals to extend their memory LTAs through 2035 from KeyBanc channel checks. Samsung already has 70% of their capacity allocated through 2031, and this move would suggest a more durable cycle for $MU, $SKHY, and the others. They also expect HBM prices up 80% to 100% in the Q1 2027. Having all your capacity potentially allocated out into 2035 via LTAs would ease a lot of memory durability fears. AI 解读 存储长约延伸至2035：从"周期泡沫"到"契约化瓶颈"的再定价 一句话结论 这是一条 中长期逻辑增强 + 短期情绪催化 的偏多新闻：KeyBanc渠道调查称Alphabet拟把内存LTA延至2035、三星2031年前70%产能已分配、1Q27 HBM价格或涨80–100%，本质是把"内存是周期泡沫"的空头论点，替换为"内存是被照付不议合约锁定的结构性瓶颈"。影响路径主要是 产业趋势+估值 而非单季业绩——三星/海力士2027E市盈率仅2.8–3.9倍，市场按"周期顶点最后一年"定价，而含价格下限与预付款的长约意味着利润底部被契约化抬高。直接受益为美光（MU，流动性最佳）、SK海力士、三星电子、闪迪/希捷/西数及上游设备材料；成本端利空手机/PC终端品牌，对GOOGL/MSFT则是"成本利空、但资本开支可信度利多"的混合信号。 我的倾向：偏多存储原厂与设备材料链，但对2035这一具体年限保持怀疑（仍在"讨论"阶段，属渠道传闻）。 事件背景与上下文 AI基建把HBM需求推到极限，并排挤常规DRAM/NAND供给，形成"卖方市场"。脉络清晰：2025Q4原厂报价上调30%→2026年3月彭博报三星考虑多年期合约、美光签首个5年SCA→7月三星财报电话会披露拟以"5年滚动"方式将60–70%总产能纳入LTA、含预付款与差异化定价→8月韩媒确认70%产能锁至2031、客户为NVDA/MSFT/GOOGL；同期博通-谷歌TPU长约至2031、闪迪-铠侠合资延至2034、英特尔/AMD也开始签CPU长约。因此本次"延至2035"是 同一趋势的增量外推 ，而非孤立事件。反向脉络同样存在：谷歌TurboQuant论文曾致美光市值蒸发近三分之一，高通"高带宽计算"、Cerebras无HBM方案、英伟达Vera Rubin减少内存用量，构成"需求替代"的对冲叙事。 影响路径 一阶（直接） ：长约年限拉长+照付不议+价格下限 → 原厂收入与毛利率的 可见性与底部 上移 → 三星/海力士/美光/SNDK的2027–2030盈利预测从"周期衰减"改为"高位延续"，估值倍数（而非EPS）成为主要上行来源。1Q27 HBM涨价80–100%若落地（注：SK海力士已完成2027 HBM4价格谈判、三星已敲定2027 HBM供货协议，故该涨幅部分或已内含），直接放大HBM占比高的海力士/三星DS利润弹性。 二阶（产业链） ：长约=产能已被预订 → 扩产必须前置 → 2026年三大原厂资本开支合计超600亿美元、三星泰勒二期与器兴新DRAM厂（月产能约10万片）推进 → 利好半导体设备（AMAT/LRCX/TEL/韩美/汉纳）、测试（Advantest）、先进封装与基板/ABF、HBM用材料（NCF/Low-α）、以及MLCC、EML光模块等"同类长约瓶颈"品种。受损端：手机/PC OEM（BOM中存储占比升至43%低端、23%旗舰）毛利承压，小米/OPPO/vivo已现出货量下滑；云厂商AI推理单位成本抬升。 市场预期差 ：①市场 低估 了"价格下限之下的利润率仍高于历史周期高点"这一事实，仍给原厂3倍P/E；②市场 高估 了长约的刚性——半导体供应协议历史上屡被重谈，且1Q27常规DRAM合约涨幅已由2Q26的58–63%回落至3Q26预期的13–18%，说明终端承受力是真实天花板；③2035这一数字本身是传闻级信息，可信度低于"70%产能至2031"（已被韩媒与三星自身披露双重印证）。 核心分歧 多头 ：需求具结构性（Counterpoint称AI ASIC对HBM需求四年增35倍；九大CSP 2026资本开支同比+79%至约8300亿美元；GOOGL上调2026资本开支至1950–2050亿并预告2027继续大增），长约把这种需求变成可审计的合同资产，"泡沫论"失效。 空头 ：长约是 短缺下的恐慌性锁货 而非需求承诺；技术替代（无HBM架构、压缩算法、内存效率）正在被买方主动推进；且融资端已现压力（博通拟为算力融资600–1000亿美元债务），若AI变现不及预期，长约会被重新谈判。 最关键分歧变量：常规DRAM/NAND的现货-合约价差与需求满足率 ——Meritz预测2026H2仅能满足75–80%需求、2027降至60%区间，英特尔CEO称2028年前无缓解；若满足率如期恶化，多头胜；若2027年出现合约价环比转负或长约"预付款退还/条款软化"，空头胜。 我更倾向多头 ，理由是价格下限+预付款已到账（约总预付款四分之一）构成真实财务约束，且估值已按最悲观情形定价。 受影响资产分层 层级 方向 标的/行业/商品 影响逻辑 确定性 时效 直接受益 利多 MU、SK海力士(000660.KS)、三星电子(005930.KS)、SNDK LTA年限+价格下限+HBM涨价，盈利可见性上移，估值修复 高 日内–1周 / 中长期 直接受益 利多 STX、WDC、铠侠 NAND/HDD长约至2027–2028，2026产能基本订满，续约价更高 中 1–2周 间接受益 利多 半导体设备/测试/材料、HBM封装、基板ABF、MLCC、EML光器件 长约=产能预订→扩产与配套瓶颈前置 中–高 1–2周 / 中长期 间接受益 利多 韩股KOSPI、台系存储链、美股SOX 三星2027E约2.8倍P/E的估值洼地叙事 中 日内–3天 直接受损 利空 中低端手机/PC品牌（小米、OPPO、vivo、传音）、消费模组厂 存储占BOM达40%+，提价抑制出货 中 1–2周 混合信号 中性偏空/偏多 GOOGL、MSFT、META、AMZN、NVDA 成本上行压毛利；但签长约反证AI资本开支可信度 中 日内–1周 情绪映射 利多 算力租赁/Neocloud、AI基建ETF、"瓶颈投资"主题 "有照付不议需求的资产不是会破的泡沫" 低 日内 情绪映射 利空 无HBM/内存效率概念的对冲盘（Cerebras、高通HBC叙事） 若长约证伪，替代方案性价比上升 低 1–2周 大宗/宏观 中性偏鹰 电子CPI、韩元、AI相关信用利差 "芯片通胀"外溢至终端售价；博通巨额发债定价反映融资可持续性 低 中长期 投资结论与观察点 短期交易 ：属传闻驱动的情绪/动量交易，MU与海力士/三星易现脉冲；但2035年限未获公司确认，追高风险显著，更宜在"长约数量/预付款到账"的硬数据披露时点加仓，而非在推文时点。 中期基本面 ：存储从周期股向"契约化公用事业"迁移，若成立，原厂估值中枢上移的空间大于盈利上修本身；设备材料链的确定性次之但持续期更长。 最值得跟踪的3个信号 ：①美光/三星/海力士下一次财报会中LTA 签约数量、照付不议比例、预付款到账额、价格下限水平 的量化口径（美光16份5年长约是基准）；②TrendForce/DRAMeXchange的 1Q27 HBM与常规DRAM合约环比涨幅 ，以及现货-合约价差是否收敛（价差收敛=短缺见顶）；③ 需求替代与融资压力 ：英伟达Rubin单GPU内存含量、谷歌/高通压缩与新架构进展、博通债务融资的发行利差与超大规模云厂商2027资本开支指引。 结论增强的情形 ：GOOGL或三星在公开渠道确认2033–2035年期合约；1Q27常规DRAM合约价环比重新加速（而非延续3Q26的13–18%减速）；预付款规模继续扩大。 结论削弱的情形 ：出现长约被重谈/退款案例；HBM现货溢价回落至合约价以下；任一主要CSP下修2027资本开支。 分类: AI人工智能相关新闻或者创新药相关新闻 原因: 高带宽内存（HBM）是AI芯片核心配套，其供需变化直接关联AI产业发展，属于关键上游材料。 重要程度: 重要 温馨提示： 请将我们的邮箱地址 "mail.lxaa.top"、"lxkj.fintechcreater.top" 添加到您的邮箱白名单，以确保您能正常接收我们的邮件。 此邮件由系统自动发送，请勿回复。 如需调整推送设置，请 登录网站 进行修改。 如果您不想再收到此类邮件，请 点击这里退订 。

KeyBanc渠道调查首次提及Alphabet拟将内存LTA延伸至2035年，较此前已知的2031年再延长约4年；KeyBanc给出1Q27 HBM价格涨幅预测区间80–100%，为已知的具体涨幅指引

【研报快讯】20261029-野村-三星 【研报快讯】20261029-野村-三星电子（005930.KS）结构性存储牛市将持续多年 野村10月29日研报称，三星电子（005930.KS）3Q26营收195万亿韩元、营业利润107万亿韩元，环比分别增14%和20%，受存储价格与出货量增长驱动；HBM出货量环比增55%，P4/P5产能爬坡推动资本开支加速。野村认为AI数据中心投资有望令存储超级周期延续至2027—2028年，维持买入评级及670,000韩元目标价，称其为全球AI供应链中较被低估标的。 AI 解读 一句话结论 这条新闻整体偏利多，但核心不是“3Q26业绩大幅超预期”，而是野村将存储超级周期的持续时间从“短期涨价交易”拉长到“2027—2028年结构性牛市”。 它把市场关注点从单季利润是否见顶，转向HBM出货加速、P4/P5产能爬坡、AI数据中心资本开支和长期供货协议能否降低周期波动。 短期主要影响三星电子及全球存储链的估值修复；中期利好HBM、DRAM/NAND、半导体设备与材料；长期取决于AI算力需求是否持续。 我的倾向是中长期偏多，但短期不宜简单追高，应围绕HBM认证、合约价和资本开支指引做交易。 事件背景与上下文 三星电子3Q26营收195万亿韩元、营业利润107万亿韩元，环比增长14%和20%，显示存储业务量价齐升仍是利润核心。彭博初步数据显示其利润略低于市场极高预期，说明高预期已部分反映在股价中。此前Counterpoint上调DRAM价格预测，高盛、韩国投资证券、野村等机构陆续上调目标价，反映卖方对存储景气延续的判断正在强化。韩国政府推动半导体、AI数据中心和物理AI投资，三星、SK海力士宣布大规模扩产，行业从“周期反弹”走向“产能与需求长期匹配”的阶段。 影响路径 新闻事件 → 产业变化 → 公司盈利与估值 → 资产价格 野村确认存储超级周期延续至2027—2028年 → HBM出货环比增长55%、P4/P5产能爬坡加速 → 存储供给紧平衡、设备资本开支上升 → 三星电子盈利可见度改善、估值重估 → 全球存储链和半导体设备链风险偏好提升。 一阶影响 直接影响三星电子、SK海力士、美光等存储原厂。HBM出货加速意味着高附加值产品占比提升，DRAM/NAND价格上行改善毛利率；P4/P5产能爬坡则推动资本开支，短期可能压制自由现金流，但中期强化供给能力。 二阶影响 利好半导体设备、先进封装、测试、电子特气、靶材、CMP材料、硅片、HBM相关材料与封测环节。AI数据中心投资还会带动服务器PCB、电源、散热、存储模组、主控芯片等需求。 三阶影响 对消费电子、PC、手机品牌构成成本压力。存储涨价会推高终端BOM成本，压制非存储业务利润率。云厂商和AI应用公司也可能面临更高算力与存储采购成本，但若其AI资本开支持续，则仍是设备链的需求来源。 市场预期差 市场可能低估了长协、HBM4放量和AI推理需求对盈利波动的缓冲；但也可能高估了短期业绩兑现，因为3Q26利润略低于部分一致预期，且资本开支加速会带来折旧压力。 核心分歧 看多逻辑： AI数据中心投资不是短期主题，而是长期基础设施扩张；HBM、高端DRAM、企业级SSD需求持续超过供给；三星在HBM4、传统存储产能和代工协同上具备追赶空间；长协提高盈利能见度，降低周期股估值折价。 看空或谨慎逻辑： P4/P5扩产和韩国大规模投资可能令2027—2028年供给释放超预期；消费电子需求仍弱，非存储业务拖累整体利润；股价此前已反映部分高预期；高资本开支会提升折旧、压低自由现金流。 最关键分歧变量： HBM4/HBM4E认证进度与英伟达、AMD、ASIC客户订单，以及DRAM/NAND合约价是否继续环比上行。 我的倾向偏多，但不是对“业绩超预期”的追涨，而是对“周期久期被延长”的重估。只要HBM出货和存储合约价不转弱，存储链仍有估值修复空间。 受影响资产分层 层级 方向 标的/行业/商品 影响逻辑 确定性 时效 直接受益 利多 三星电子、SK海力士、美光、存储原厂 HBM出货增长、DRAM/NAND价格上行、盈利久期拉长 高 1-3天/中长期 直接受益 利多 HBM、DRAM、NAND、企业级SSD、存储模组 AI服务器与数据中心需求拉动高附加值产品放量 高 1-2周/中长期 间接受益 利多 半导体设备、刻蚀、沉积、测试机、HBM测试仪 P4/P5产能爬坡、韩国大扩产、资本开支加速 中-高 1-2周/中长期 间接受益 利多 先进封装、电子特气、靶材、CMP、硅片、材料 存储扩产与HBM工艺复杂度提升带动上游需求 中 1-2周/中长期 间接受益 利多 AI服务器、PCB、电源、散热、数据中心配套 AI数据中心投资延续带动整机与基础设施 中 中长期 受损 利空/中性偏空 消费电子、手机、PC品牌、面板、非存储代工 存储涨价推高BOM成本，利润承压 中 1-2周 情绪映射 利多 A股存储芯片、HBM概念、国产设备材料链 全球存储景气上修带动映射交易 中 日内/1-3天 商品/汇率 中性偏多 韩元、铜、钨、钴、硅片、电子气体 半导体出口和AI硬件链支撑韩元与部分材料需求 低-中 中长期 投资结论与观察点 短期交易： 若三星后续完整财报确认HBM出货、Q4位元增长指引和存储ASP继续上行，存储链可能迎来估值修复；但若市场聚焦“利润略低于预期、资本开支加速、折旧压力”，则股价可能先震荡。短期更适合围绕SOX指数、KOSPI、存储现货/合约价做交易，而非单边追高。 中期基本面： 关键不是单季利润，而是2027—2028年供需缺口是否被维持。长协覆盖率越高、HBM4/HBM4E认证越顺利，三星和存储链越可能从“强周期股”转向“高盈利可见度的AI基础设施供应商”。 最值得跟踪的3个信号： HBM4/HBM4E客户认证与订单结构 ：关注英伟达、AMD、博通及云厂商ASIC对HBM4E的采用节奏。 DRAM/NAND合约价环比走势 ：若服务器DRAM、企业级SSD继续双位数上涨，存储链景气可延续；若涨幅明显收敛，则周期见顶风险上升。 三星/SK海力士/美光资本开支指引 ：扩产加速利好设备材料，但若供给释放快于需求，将压制远期价格。 结论增强条件： 若野村进一步上调2027—2028年盈利预测，且三星股价仍低于历史估值中枢；或韩国存储扩产订单落地、设备厂上调指引；或存储长协继续覆盖更多产能，则偏多判断会增强。 结论减弱条件： 若AI数据中心资本开支下修、HBM价格环比转弱、三星Q4位元出货指引低于预期，或消费电子拖累导致整体利润增速放缓，则应从“结构性牛市”转向“高波动周期股”定价。 分类: AI人工智能相关新闻或者创新药相关新闻 原因: 新闻聚焦AI数据中心投资推动存储需求，HBM出货量增长与AI密切相关，属于核心AI产业链内容。 重要程度: 重要 温馨提示： 请将我们的邮箱地址 "mail.lxaa.top"、"lxkj.fintechcreater.top" 添加到您的邮箱白名单，以确保您能正常接收我们的邮件。 此邮件由系统自动发送，请勿回复。 如需调整推送设置，请 登录网站 进行修改。 如果您不想再收到此类邮件，请 点击这里退订 。

野村将本轮存储行情界定为延续至2027—2028年的结构性牛市，而非单纯的短期涨价交易；判断依据包括HBM出货量环比增长55%、存储量价增长以及P4/P5产能爬坡和资本开支加速。

# 存储调研:服务器 DRAM 供给及四季度价格预期,HBM/企业级 SSD 需求及价格展望,云厂商长协锁量及供需拐点-聚焦美光/三星/英伟达/台积电/微软/谷歌/亚马逊等 ## 以下为专家观点 考虑到 2026 年近期存储价格大幅上涨，以及历史上的价格波动，未来一至两个月和未来一至两年，存储市场的价格走势如何？ 存储价格由供需决定。目前供应不足。正如美光首席执行官在 2026 年第二季度提到 的，供应只能满足约 60% 的需求，三星和公司也存在类似情况。主要需求来自美国超大规 模云服务商，而PC和OEM客户的需求增长缓慢。因此，PC和OEM市场的价格涨幅很小， 季度涨幅最多约为 3%。目前观察到的大幅涨价主要发生在现货市场，而现货市场在整体 市场中占比很小。三大存储厂商的大部分销售通过与超大规模云服务商签订的长期协议 进行，三星和公司均表示，超过 70%—80% 的业务采用此类合同。因此，推动市场的关键 产品是服务器DRAM、HBM和企业级SSD。这些产品未来一至两个月的价格走势仍然强劲。 具体而言，服务器 DRAM 价格预计环比上涨 10%—15%，几乎所有交易均以美元结算。 ## 超大规模云服务商的大额资本开支面临资金压力。如果其无法为半导体采购筹集足够资金，是否可能改变存储需求格局？ 市场一直担忧，超大规模云服务商能否持续承担数据中心建设所需的巨额资本开支。 其中，存储约占成本的 50%，电力和冷却系统也是主要开支。这些公司往往需要借款，AI 数据中心带来的收入也尚未与投资规模相匹配，但其着眼于长期，规划延伸至2030年及 以后。它们预计，到 2028 年或 2029 年前后，目前规划的数据中心完成部署和扩建后，AI 相关云服务将开始带来可观收入。这些超大规模云服务商之间的激烈竞争是关键因素，没 有一家愿意在云服务竞争中落后。如果微软这样的公司停止投资，就可能失去竞争地位。 超大规模云服务商目前持有多少存储库存，尤其是 HBM 库存？如果其暂停采购，是否可能影响市场？ 库存情况比较复杂，因为超大规模云服务商通常不会直接储备 HBM。例如，公司向英 伟达销售 HBM，用于与英伟达 GPU 集成，包括即将推出的 Rubin 一代 GPU，接续去年的 Blackwell。GPU 裸片与 HBM 通常由台积电等企业通过先进封装进行集成，随后再装入完 整的 GPU 系统，供超大规模云服务商部署在数据中心。因此，超大规模云服务商持有的库 存会以完整 GPU 系统的形式存在，而非单独的 HBM。另外，亚马逊、谷歌等超大规模云服 务商也会自行设计 AI 芯片。它们采购 HBM，并将其集成到定制 AI 服务器系统中，通常由 广达等台湾企业组装，再运回美国安装。供应链各环节在任一时点的确切库存水平并未公开。 ## 2026 年 9 月至 10 月，中国市场的 DDR5 和 DDR4 现货价格下跌了 15%。美国市场是否可能出现类似跌幅？长期协议如何影响整体价格稳定性？ 出现此类价格下跌的现货市场，占整个存储市场的比例不到 5%，波动性较高，经常 受到分销商或模组厂投机性采购的影响。大部分业务通过长期协议（LTA）开展，协议期 限通常为五年。这类合同带来的价格稳定性，是现货市场所不具备的。虽然长协价格并非 固定不变，也会按季度调整以反映市场状况，但调整幅度小得多。这些协议包含价格下限 机制，确保价格不会低于双方商定的最低水平，从而保护制造商。美光等厂商的部分协议 可能设有价格上限，但三星和公司的协议没有，因此在有利的市场环境下，价格可以持续 上涨。中国市场的价格下跌很可能只是现货市场现象，不能代表占市场大部分的合约定 价。 ## 既然已经签订长期协议，为什么价格仍会波动和上涨，而不是保持稳定？ 长期协议主要是为了锁定采购量，而非在整个五年期限内固定价格。采购量承诺基本 固定，为买方提供有保障的供应，以支持其资本开支和业务计划。但价格按季度调整，以 反映当时的市场状况。这种安排被认为对双方都公平：市场下行时，买方不会被锁定在高 价；市场上行时，供应商也能受益。目前市场有利于供应商，买方签订这些长期协议，是 为了确保能够获得关键零部件，避免数据中心扩建计划受到干扰。 ## 考虑到市场价格波动，有哪些机制可以防止长期协议违约？过去是否发生过此类违约？ 目前的长期协议与过去不同，包含具有法律约束力的防违约条款。如果买方未按承 诺采购相应数量，就需要承担违约处罚。为锁定这些协议，美国超大规模云服务商等买方 支付了大额预付款，通常约占合同总金额的 20%—30%。这笔款项起到保证金的作用。一 旦违约，买方将损失这笔大额预付款，因此有很强的经济动机遵守合同条款。 ## 是否存在某家厂商压价、进而导致市场崩盘的风险？ 供应端预计要到 2028 年末或 2029 年初才会有明显的产能增加。建设新晶圆厂需要很 长时间；厂房建成后，还需要额外 15 个月进行设备安装、晶圆加工（HBM 需要 5—6 个 月）及客户认证（另需3个月），之后才能形成实质性产出。在供应受限的情况下，超 大规模云服务商长期的数据中心建设计划和激烈竞争使需求保持强劲，这些条件支持价格 继续上涨。 ## 长鑫存储（CXMT）等中国厂商，尤其是其新的 $4F^{2}$ 技术，会带来多大的竞争威胁？ 行业基本面仍然是供应短缺，预计要到 2028 年甚至 2029 年才会明显缓解。尽管晶圆 厂正在扩产，比特产量增长仍受到限制，因为在相同制程下生产相同比特数量时，HBM3E 等产品所需的晶圆产能约为 DDR5 的三倍，且制造难度更高。市场的一个具体担忧，是中 国厂商长鑫存储及其近期宣布的 $4F^{2}$ 技术。不过，该技术用于生产服务器级 DRAM 的可行 性存在疑问，原因是一个关键劣势：无法获得高性能制造设备。无论采用 $4F^{2}$ 还是 $6F^{2}$ 架 构，要生产可靠的服务器 DRAM，都必须使用高性能制造设备。DRAM 电容的高深宽比约为 50:1 至 80:1，使 DUV 多重图形化中的对准变得极其复杂，导致较高的失效率。如果没有 高性能制造设备，长鑫存储的服务器 DRAM 良率可能不具备商业可行性。具有商业可行性 的良率至少需要达到 80%，而良率低于 60% 就会导致亏损。虽然长鑫存储在 PC 用 DDR4 和 手机用 LPDDR4X 等成熟产品上已经实现较高良率，但服务器 DRAM 对性能和可靠性的要求 高得多。相比之下，成熟的传统 DRAM 良率通常在 90% 以上，而 HBM 由于堆叠和封装工艺 复杂，80%—85%的良率已被认为是理想水平。 ## 对明年即 2027 年的 DRAM、HBM 和 NAND 价格这些预测背后的驱动因素是什么？ 这些价格预期基于当前市场展望及市场研究所跟踪的供需动态。HBM 和大容量企业级 SSD 的主要需求驱动力都来自 AI。HBM 主要用于 AI 训练系统，而大容量企业级 SSD（例如 64TB 或 128TB）对 AI 推理至关重要，用于存储和调用训练好的 AI 模型，以响应 ChatGPT 或 Gemini 等服务中的用户提问。在 AI 应用需求持续高涨的背景下，价格上涨反映了这些 特定存储产品持续存在的供应约束。 按照目前的涨价预期，如果明年存储在超大规模云服务商资本开支中的占比超过 $50\%$ ，是否会成为重大问题并限制其投资？ 这不太可能成为重大问题。超大规模云服务商通常对存储零部件涨价不太敏感，首要 关注的是确保获得足够的供应量。这也是它们经常签订长期协议、并定期协商价格的原 因。与对零部件成本高度敏感的 PC 或手机 OEM 厂商不同，超大规模云服务商已经表现出 支付溢价的意愿，以确保实现基础设施建设目标。虽然其2027年的具体资本开支计划尚 不完全清楚，但它们已经在 2026 年投入巨额资金，建设预计在 2028 年前后投入运营的数 据中心。明年因存储价格上涨而停止这些投资的可能性不大，因为这会危及此前已投入的 巨额资本。 市场经常出现意外变化，例如今年第三季度出人意料的价格大涨。哪些潜在的意外因素，可能影响目前看起来乐观的2027年展望？ 从供应角度看，预计 2027 年乃至 2028 年都不会出现重大变化。若要改变当前价格走 势，需要供应显著增加，但未来一至两年尚未看到这种迹象。因此，供应端不太可能成为 影响价格变化的主要因素。主要不确定性在需求端。目前的乐观展望建立在超大规模云服 务商将继续积极投资的假设上，其长期协议及季度业绩电话会上的一贯表态也支持这一判 断。如果这类需求意外减弱，整个存储市场很可能崩盘。目前市场预计，需求每年增长 30%—40%，而供应增幅低于 20%，从而形成持续的供需缺口。需求若明显低于这些预期， 就会改变市场格局。不过，截至目前，尽管存在各种传闻和担忧，超大规模云服务商仍在 公开公告中持续重申其投资计划。

服务器DRAM供应紧张不仅由需求增长驱动，还受到超大规模云厂商长协锁量、预付款保障和优先供货机制影响；现货占比不足5%，无法代表整体定价。长协通常锁定五年数量，但保留季度调价、价格下限及部分价格上限，使厂商仍可受益于涨价。供应扩张方面，新建晶圆厂从厂房完成到设备安装、HBM加工和客户认证周期长，明显供应增量可能延后至2028年末至2029年初。长鑫存储在服务器DRAM和HBM领域的短期影响仍受高端设备及良率约束。